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SK海力士表明将在年内做好批量出产的预备，并于2020年开端全面供给。
策划&编撰：Lynn
在推动DRAM的制作技术上，三星、SK海力士和美光这三大玩家从来没有中止过行进的脚步。
10月21日，SK海力士宣告了开发根据第三代1Z纳米（10nm）工艺的DDR4动态随机存储器（DRAM），称将完成单一芯片规范内国际最大容量的16GB，即在一张晶圆中能出产的存储量到达现存的DRAM中最大。
据悉，新款1Z纳米DRAM支撑高达3200 Mbps的数据传输速率，到达DDR4标准内最高速度；一起在功耗方面，与上一代相同容量模组比较，降低了约40%；此外，与上一代1Y纳米产品比较，其产能提高约27%，因其无需贵重的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具本钱竞赛优势。
值得指出的是，第三代产品运用了上一代出产过程中未运用的新材料来添加电容，而跟着电容的添加，存储数据的保存时刻和一致性也会添加，因此稳定性得以提高。
关于产品的商用，SK海力士表明将在年内做好批量出产的预备，并于2020年开端全面供给，以积极响应市场需求。此外，它方案将第三代1Z纳米级微细工程技术扩展到多种应用领域，包含下一代移动DRAM LPDDR5和最高端DRAM HBM3等。
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