感光面积 | 4.4 × 0.9 mm | 像元个数 | 35 | 封装 | 陶瓷 | 封装类型 | 40 DIP | 制冷 | 非制冷 | 额定电压(最大值) | 15V | 光谱响应范围 | 190 to 1000 nm | 峰值波长 | 800 nm | 感光灵敏度(典型值) | 0.5 A/W | 暗电流(典型值) | 0.06 pA | 上升时间(典型值) | 0.1 μs | 结电容 | 35 pF | 测试条件 | Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。每个象元:灵敏度:λ=λp,暗电流: VR=10m V,上升时间:VR=0V,结电容:VR=0V |
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感光面积 | 4.4 × 0.9 mm | 像元个数 | 35 | 封装 | 陶瓷 | 封装类型 | 40 DIP | 制冷 | 非制冷 | 额定电压(最大值) | 15V | 光谱响应范围 | 190 to 1000 nm | 峰值波长 | 800 nm | 感光灵敏度(典型值) | 0.5 A/W | 暗电流(典型值) | 0.06 pA | 上升时间(典型值) | 0.1 μs | 结电容 | 35 pF | 测试条件 | Ta=25 ℃,除非特别说明均为典型值。每个象元:灵敏度:λ=λp,暗电流: VR=10m V,上升时间:VR=0V,结电容:VR=0V |
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